大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Mwork on的用法以及语法，workon的用法总结icron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品work on的用法以及语法，workon的用法总结rong>

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(ywork on的用法以及语法，workon的用法总结ào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。